logare  |  registrare

Determinarea constantei Boltzmann

Determinarea constantei Boltzmannzoom
referatul a fost adăugat în catalogul nostru mari, 20 noiembrie 2012
Determinarea constantei Boltzmann
42 KB Încărcări
  • referatul disponibil in limba romina: DA
 primul   precedent   următorul   ultimul 
referate în categoria dată: 93
Descriere

DETERMINAREA CONSTANTEI BOLTZMANN PRIN MÅSURAREA CURENTULUI DE DIFUZIE ÎNTR-UN TRANZISTOR

 

1. Scopul lucrårii

            Scopul acestei lucråri este determinarea mårimii constantei Boltzmann. Pentru determinare, se folose¿te dependen¡a caracteristicii curent-tensiune din circuitul de colector al unui tranzistor, de anumi¡i parametri (printre care ¿i constanta Boltzmann).

 

 

2. Teoria lucrårii

            Pentru a întelege func¡ionarea unui tranzistor, vom examina ini¡ial jonc¡iunea p-n. O jonc¡iune semiconductoare p-n, este un ansamblu format din alipirea unui semiconductor de tip p cu unul de tip n.

            ¥ntre cele douå regiuni n ¿i p, existå o diferen¡å de concentra¡ii de electroni respectiv de goluri; corespunzåtor acestui gradient de concentra¡ii va apare tendin¡a de egalare a concentra¡iilor prin difuzie de electroni cåtre regiunea Sp, respectiv de goluri cåtre regiunea Sn (vezi figura 1). Simultan cu acest proces, au loc fenomene de recombinare, adicå de anihilare a perechilor electron-gol. ¥n acest fel, la contactul celor douå regiuni semiconductoare, apare pe o lungime l » 10-4 cm, un câmp electric de baraj care împiedicå difuzia ulterioarå de purtåtori. Zona de lungime l se nume¿te strat (sau zonå) de baraj. Electronii difuza¡i din Sn cåtre Sp, vor fi minoritari în noua regiune fa¡å de goluri; corepunzåtor, în regiunea Sp, golurile vor reprezenta purtåtorii majoritari iar electronii, purtåtorii minoritari. Invers, în regiunea Sn, electronii vor fi purtåtori majoritari iar golurile, purtåtori minoritari.

            O jonc¡iune poate fi polarizatå în sens direct (polul pozitiv al sursei este aplicat pe regiunea Sp iar cel negativ pe regiunea Sn) sau în sens invers dacå polaritatea sursei este schimbatå. ¥n primul caz apare un câmp electric exterior opus câmpului Eb; corespunzåtor, câmpul electric total va scådea u¿urând deplasarea purtåtorilor. Similar, la polarizarea inverså câmpul electric total (de acela¿i sens cu cel de baraj) va cre¿te, împiedicând deplasarea purtåtorilor.

            Se poate aråta cå în anumite condi¡ii indeplinite la majoritatea semiconducto rilor, intensitatea curentului prin jonc¡iune va cre¿te exponen¡ial cu tensiunea directå aplicatå. La polarizarea inverså curentul va scådea în primå fazå exponen¡ial, atingând o valoare de satura¡ie extrem de reduså. 

            Prin montarea a douå jonc¡iuni semiconductoare în opozi¡ie, se ob¡ine un tranzistor . Dacå cele trei regiuni semiconductoare sunt succesiv de tip       n-p-n, tranzistorul este de tip npn (secven¡a p-n-p genereazå un tranzistor de tip pnp). Cele trei regiuni se numesc corespunzåtor emitor,bazå, colector. Prima jonc¡iune (realizatå la contactul bazå-emitor) este polarizatå în sens direct ¿i se nume¿te jonc¡iune bazå-emitor. A doua jonc¡iune (la contactul bazå-colector) este polarizatå invers ¿i se nume¿te jonc¡iune bazå-colector.

 


...

Păreri:
Părerea Dvs poate fi prima.
Scrie părerea
Se vinde acest portal, doritorii pot contacta la adresa de email sursa.md@gmail.com